記者31日從中國工程物理研究院材料研究所獲悉，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“高分辨耐輻照硅探測(cè)器的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項(xiàng)目日前正式啟動(dòng)。該項(xiàng)目將打破國外壟斷，首次研發(fā)出一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“高分辨耐輻照硅探測(cè)器”，未來應(yīng)用于國防特殊輻射測(cè)量設(shè)備、公共安檢X射線探測(cè)等諸多領(lǐng)域。

“射線探測(cè)技術(shù)作為現(xiàn)代科技關(guān)鍵核心技術(shù)，可稱為‘國之利器’，在公共安檢設(shè)備、國防建設(shè)、核能開發(fā)利用等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用空間，目前我國硅輻射探測(cè)器市場(chǎng)上的產(chǎn)品絕大部分被國外壟斷，迫切需要在關(guān)鍵領(lǐng)域進(jìn)行重點(diǎn)突破。”項(xiàng)目技術(shù)專家組組長(zhǎng)、浙江大學(xué)材料學(xué)院硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、中科院院士楊德仁說，高分辨耐輻照硅探測(cè)器在核輻射監(jiān)測(cè)、高能粒子探測(cè)、X射線衍射儀、安檢等應(yīng)用廣泛，本項(xiàng)目將通過以表面鈍化和離子注入等關(guān)鍵技術(shù)突破為重點(diǎn)，獲得具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能硅輻射探測(cè)關(guān)鍵技術(shù)，從基礎(chǔ)研究、工藝控制、器件研制、產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化等各階段提升核心競(jìng)爭(zhēng)力，帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

由四川藝精科技集團(tuán)牽頭申報(bào)，中國工程物理研究院材料研究所、中國工程物理研究院電子工程研究所和江蘇尚飛光電科技股份有限公司參與本項(xiàng)目，主要任務(wù)包括研制高壓耐輻照硅探測(cè)器、面向公共安檢應(yīng)用的高性能X射線探測(cè)器、大面積X射線硅探測(cè)器等。項(xiàng)目總體組成員、中物院材料研究所研究員趙一英介紹說，耐高壓硅探測(cè)器作為國防特殊輻射測(cè)量設(shè)備的核心部件，可拓寬脈沖輻射測(cè)量的動(dòng)態(tài)范圍，對(duì)中子、伽馬射線等具有良好分辨力，未來團(tuán)隊(duì)將重點(diǎn)研究硅表面鈍化工藝，通過控制硅表面氧化膜的厚度和質(zhì)量來提高器件工作性能及輻照性能。